□南京日報/紫金山新聞記者張希

9月6日，由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司指導，國家第三代半導體技術創新中心主辦的第三代半導體產業創新發展大會在江寧開發區舉行。國家第三代半導體技術創新中心（南京）集中發布重大科技攻關成果，同時宣布一期項目竣工投產。一批總投資額超百億元的產業項目簽約落戶江寧開發區。

【資料圖】

進展：一期竣工投產，二期8英寸項目明年上馬

近日，國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目迎來竣工投產的重要節點，超凈廠房里，自動測試臺正在對一片片6英寸SiC（碳化硅）晶圓進行測試。

國家第三代半導體技術創新中心（南京）負責人介紹，一期項目依托五十五所原有11#廠房區域，“以存量帶增量”的方式，打造6英寸SiC電力電子器件研發與中試平臺。在這里，科研人員披星戴月、馬不停蹄，國內率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批量生產技術，形成了成套具有自主知識產權的碳化硅器件技術體系。

長期以來，半導體產業關鍵核心技術缺失，成為阻礙我國產業鏈向高端攀升的“絆腳石”。回顧歷史，2021年3月，為實現產業破局，科技部、財政部批復，按照“1總部+6中心”（即“中電科集團+北京、南京、蘇州、深圳、長沙、太原”）的模式建設“國家第三代半導體技術創新中心”。

短短3個月后，國家第三代半導體技術創新中心（南京）在南京創新周上揭牌。該中心由南京市人民政府、中國電子科技集團有限公司、南京江寧經濟技術開發區管理委員會、中國電子科技集團公司第五十五研究所合作共建，目標聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術瓶頸，保障國家重點產業戰略安全。

隨著一期項目投運，二期項目的建設排上了“時間表”。記者了解到，二期項目計劃于2024年開建，規劃年產20萬片8英寸圓片。工廠將設計8英寸第三代半導體芯片制造、先進晶圓封裝、模塊封裝平臺，實現孵化、成果轉化、學術交流、公共服務等功能。

在業內，進軍8英寸襯底被視為降低成本的關鍵之舉。相對于6英寸，8英寸的面積增加78%左右，由于邊緣損耗減少，同等條件下從8英寸襯底切出的芯片數會增加將近90%。

“我們必須在一些核心關鍵領域擁有絕對的一技之長。”中國電科集團總經理陳錫明說。他預測，未來2—3年，既是全球第三代半導體市場全面爆發的關鍵時期，也是我國搶占行業話語權和制高點的重大機遇期。

成果：碳化硅MOSFET芯片，已裝上200萬輛新能源車

國家的重點需求在哪些領域？半導體技術卡在哪里？從何處攻關？誰來攻關？國家第三代半導體技術創新中心（南京）在成立之初，就緊扣幾大核心問題梳理思路。

國家第三代半導體技術創新中心（南京）主任陳辰介紹：“經過摸底調研，我們排出國家重點需求在新能源汽車、光伏、軌道交通、高壓輸變電、智能電網等五大跑道，于是確定攻堅‘新能源汽車用高電流密度高可靠碳化硅MOSFET產品’和‘面向智能電網和高鐵應用的高壓大功率碳化硅電力電子器件’兩大產品方向。我們的實施路徑是從碳化硅電力電子的基礎理論、材料生長、器件制備、系統應用等四個方面，聯合生態伙伴們一道攻關。”

過去兩年多時間，南京中心的科技團隊一路披荊斬棘，收獲一批重大成果，大會進行了集中發布。

突破高可靠芯片設計、電流密度增強等碳化硅MOSFET芯片關鍵技術，形成650V—1200V大電流碳化硅MOSFET器件系列產品，關鍵指標達到國際先進水平。

突破低寄生參數設計、高效散熱、高可靠封裝等關鍵功率模塊關鍵技術，研制出750V/600AHPD、1200V/600A2in1等電驅用SiC功率模塊，性能與國際先進模塊相當。

記者了解到，碳化硅MOSFET芯片尺寸微不足道，僅3×3毫米見方，但它卻好比新能源車車載充電機的“心臟”，能大大提高新能源車充電效率。陳辰透露：“截至目前，碳化硅MOSFET芯片已經在國內頭部車企的車載電源系統中使用1300萬只，保障了近200萬輛汽車需求，出貨量全國領先。此外，功率模塊擬應用于紅旗汽車的首款電驅，預計2024年正式裝車。”

研發生產出一批填補國內空白的高壓、大電流功率模塊。相關成果在國際全碳化硅柔直變電站投入示范應用，并且在某龍頭企業電力電子換流閥項目中進行了應用驗證。

突破大尺寸SiC輻射探測器器件設計及制造技術，單芯片面積、暗電流、電荷收集效率等關鍵指標處于世界領先水平。

生產出國內首個邏輯、驅動、功率開關全GaN集成功率IC芯片，最高工作頻率達到5MHz，為更高工作頻率、高可靠電源應用奠定基礎。

突破驅動芯片設計、微小尺寸像素陣列制備、高導熱顯示模組設計等關鍵技術，建立自主的8英寸硅基MicroLED工藝平臺，實現單色微顯示器的點亮與顯示功能。目前，綠色MicroLED器件亮度可達到200萬尼特。

簽約：總投資額超百億元，10個產業項目來了

作為大會的“重頭戲”，10個總投資超百億元的第三代半導體產業項目，以及一批平臺、基金類項目簽約落戶江寧開發區，為我市第三代半導體產業強鏈補鏈延鏈。

其中，兆熠微顯示器件產業化基地項目，投資方南京國兆光電科技有限公司為中國電子科技集團五十五所下屬企業，擁有完整的驅動芯片設計和顯示器件制造技術。項目計劃建設12英寸硅基OLED量產線，滿足VR等應用對硅基OLED器件的量產需要。

三晶第三代半導體精密裝備及材料產業化項目，投資方南京三超新材料股份有限公司是深圳創業板掛牌上市企業，也是國內最早通過自主研發掌握金剛線制造相關技術并成功實現產業化的企業之一。公司開展背面減薄砂輪、倒角砂輪、軟刀、劃片刀（硬刀）以及金剛石有序排列的拋光墊修整器（CMP-Disk）等核心產品的研制和銷售，相關產品可打破美、日、韓等國的壟斷，為國內半導體產業鏈配套。

簽約的產業化項目還有道達OHT半導體天車產業化項目、中電鵬程半導體封測設備研發及產業化項目、芯干線碳化硅和氮化鎵高功率器件項目等，涵蓋第三代半導體產業從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應用等相關環節。

還有一批非產業類項目的到來，為構建產業生態圈“添磚加瓦”。當天，國家第三代半導體技術創新中心南京平臺校企合作平臺、第三代半導體南京平臺創新聯合體成立。江寧開發區管委會、南京新工投資集團、國家第三代半導體技術創新南京中心三方設立的創新基金成立，基金將以市場化、專業化的投資方式，通過“投早、投小、投新”，優化產業發展。

布局：做優生態，新賽道加速跑

南京是中國集成電路產業的重鎮之一，在全球半導體產業迭代升級的關鍵期，南京有責任、也有實力在第三代半導體賽道上當“先鋒”。

國家第三代半導體技術創新中心主任張魯川評價，南京在半導體材料、芯片及器件、封測應用等環節集聚了一批優質企業，具備了雄厚的產業基礎。183家相關規模以上企業中，有集成電路設計企業155家、晶圓制造業和封裝測試企業10家、集成電路支撐企業18家。

目前，南京集成電路產業明確了“一核”（江北新區）、“兩翼”（江寧開發區和南京經濟技術開發區）、“三基地”（南京軟件谷、徐莊軟件園、麒麟科創園）的發展格局。國家第三代半導體技術創新中心（南京）和EDA國創中心兩大平臺源源不斷為南京半導體產業發展注入創新力。

南京發展第三代半導體產業，下一步該如何發力？張魯川給了三個方面建議：

加強基礎研究。加強基礎研究，是實現高水平科技自立自強的迫切要求，是建設世界科技強國的必由之路；

建立起一整套適用于科技創新和產業發展的人才政策。人才是多層面的，不僅包括頂尖的研發人員，還包括大量產業人才、大國工匠等；

產業強鏈補鏈、優化產業生態。建議加強應用端的拉動，讓整個產業生態變得更加健康。