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主要成員參與多用戶碳化硅研究和制造設施 (MUSiC) 的奠基儀式

據報道，該工廠占地 18,660 平方英尺，毗鄰研究和技術園區的國家可靠電力傳輸中心，將解決美國在開發用于各種電子設備、電路和技術的碳化硅電子產品方面的競爭力障礙。該建筑將設有約 8,000 平方英尺的潔凈室，用于制造和測試。

該工廠內的教育和培訓還將加速勞動力發展，幫助培養下一代半導體制造工程師和技術人員，Mantooth 和其他領導人表示，這對于將半導體制造帶回美國至關重要。

回顧MUSiC計劃

2021年，美國國家科學基金會（NSF）加上美國陸軍研究實驗室的額外支持。合計計劃撥款約1800 萬美元投入阿肯色大學的MUSiC計劃（Multi-User SiC Research and Fabrication Facility）。用于在阿肯色大學建造和運營國家碳化硅研究和制造設施。新建的設施預計將在2025年1月完工，屆時MUSiC將全面啟用。

它將填補美國用碳化硅制造的集成電路的生產空白。當時美國大學杰出的電氣工程教授、MUSiC的首席研究員Alan Mantoth介紹：“碳化硅已經被研究了很長時間，但直到最近，由于缺乏高質量的碳化硅晶圓，將其用作完全開發的半導體的努力一直受到阻礙。目前，美國所有碳化硅制造設施僅供內部使用，美國碳化硅集成電路的研發依賴于國際制造。”

阿爾伯塔大學設施將為美國國內提供芯片制作、原理驗證演示和設備設計的機會。它將是美國同類中唯一可公開訪問的制造設施，這意味著其設施和服務將向外部研究人員開放。

Alan Mantoth解釋：“有了MUSiC，這所大學可以開始培訓下一代各種學位水平的人才，為半導體制造業的國內供應商提供訓練有素、受過良好教育的人才。”

除此之外，Alan Mantoth還重點強調了8英寸碳化硅晶圓的開發工作，他表示，與使用硅制造的IC相比，設計和制造碳化硅IC面臨著獨特的挑戰。硅摻雜可以在適當的工藝溫度下擴散，從而能夠精確控制結深度、載流子密度和遷移率。而在碳化硅中，摻雜流動性較差，擴散受限，需要多次注入才能實現所需的摻雜分布和深度。這也增加了額外的步驟和成本。

另外，碳化硅具有獨特的材料特性，需要進行更高溫度的處理，例如注入后的晶圓退火，需要開發相應的替代技術來解決這個問題。但隨著技術的進步和規模經濟效益的實現，預計8英寸碳化硅將變得更具成本效益，進一步推動其在各種應用中的采用，所以如何加快8英寸碳化硅晶圓的技術研發也是MUSiC的重要課題。

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